光mos继电器有什么特性

（1）无运动零部件，无机械磨损，无动作噪声，无机械故障，可靠性高； （2）无燃弧触点，无触点间的火花、电弧，无触点抖动和磨损，对外干扰小； （3）开关速度迅速，动作时间可达10-3S以下； （4）灵敏度高，控制功率小，可达10-3以下，能很好地与TTL、CMOS电路兼容； （5）抗冲击振动性能优良，轻易实现“零”压切换； （6）一般用尽缘材料灌封玉成封闭整体，所以具有良好的防潮、防霉、防腐性能，防爆性能也极佳； （7）半导体器件作为开关工作，寿命长； （8）易实现附加功能。

小巧，触点多，一般2-3对。可以为电路增加触点，可以扩流，可做小功率符荷自动开关

MOS管(场效应管)的导通压降下，导通电阻小，栅极驱动不需要电流，损耗小，驱动电路简单，自带保护二极管，热阻特性好，适合大功率并联，缺点开关速度不高，比较昂贵。 三极管开关速度高，大型三极管的Ic可以做的很大，缺点损耗大，基极驱动电流大，驱动复杂。

1、工作性质：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制， 2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。 3、功耗问题：三极管损耗大。 4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。 实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。 MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。 一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和 mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随 器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空*，发 射区为*）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电 场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内 建电场时，基区的载流子（*）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结 的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此 时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的*往基区运动（实际上都是 *的反方向运动），由于基区宽度很小，*很容易越过基区到达集电区，并与此处 的PN的空*复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的*加速外 集电极运动，而空*则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的*通过电 源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷， 当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的 电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复 时间，因此可以用作高速开关管。 实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和 mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随 器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空*，发 射区为*）的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场（即内建电 场），当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内 建电场时，基区的载流子（*）才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结 的正向导通电压（工程上一般认为0.7v）。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此 时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的*往基区运动（实际上都是 *的反方向运动），由于基区宽度很小，*很容易越过基区到达集电区，并与此处 的PN的空*复合（靠近集电极），为维持平衡，在正电场的作用下集电区的*加速外 集电极运动，而空*则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。集电极的*通过电 源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷， 当做开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的 电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同，没有这个恢复 时间，因此可以用作高速开关管

、、、、、、、、、、、、、一个是电流驱动型（三极管）；一个是电压驱动型（ＭＯＳ）；2、三极管便宜，mos管贵。    3、三极管损耗大。    4、mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。    三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。

一个是电流驱动型（三极管）；一个是电压驱动型（ＭＯＳ）；2、三极管便宜，mos管贵。   3、三极管损耗大。   4、mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。   三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。   MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。   一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管