主要以 Ga As 系列材料发展为主 GaP 磷化镓。 磷化镓,是Ⅲ-Ⅴ族(三五族)元素化合的化合物。GaP是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为LED主要使用材料之一。 GaN 氮化镓。 氮化镓,是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。GaN使MOVPE制作技术,可制作高亮度纯蓝光LED及纯绿光LED,更可应用于蓝光、绿光雷射二极管之制作。MOVPE虽已是一成熟的磊晶制作技术,但以此技术制作GaN蓝光LED其中仍须相当的专业知识、经验和技巧AlInGaP 磷化铝铟镓。 AlInGaP此材料是近年来用在高亮度LED之*上较新的材料,使用MOVPE磊晶法制程。 AlGaAs 砷化铝镓。 为GaAs和AlAs的混晶。AlGaAs适合于*高亮度红光及红外线LED,主要以LPE磊晶法量产,但因需制作AlGaAs基板,技术难度高。
主要以 Ga As 系列材料发展为主
GaP 磷化镓。
磷化镓,是Ⅲ-Ⅴ族(三五族)元素化合的化合物。GaP是一种间接迁移型半导体,具有低电流、高效率的发光特性,可发光范围函盖红色至黄绿色,为LED主要使用材料之一。
GaN 氮化镓。
氮化镓,是Ⅲ-Ⅴ族元素化合的化合物。GaN使MOVPE制作技术,可制作高亮度纯蓝光LED及纯绿光LED,更可应用于蓝光、绿光雷射二极管之制作。MOVPE虽已是一成熟的磊晶制作技术,但以此技术制作GaN蓝光LED其中仍须相当的专业知识、经验和技巧
AlInGaP 磷化铝铟镓。
AlInGaP此材料是近年来用在高亮度LED之*上较新的材料,使用MOVPE磊晶法制程。
AlGaAs 砷化铝镓。
为GaAs和AlAs的混晶。AlGaAs适合于*高亮度红光及红外线LED,主要以LPE磊晶法量产,但因需制作AlGaAs基板,技术难度高。
led灯的主要材料是发光二极管的管芯是用半导体材料镓、砷等做成的PN结,然后用不同颜色的塑料做成不同外型进行封装的。它的基本结构是一块电致发光的半导体材料芯片,用银胶或白胶固化到支架上,然后用银线或金线连接芯片和电路板,然后四周用环氧树脂密封,起到保护内部芯线的作用,最后安装外壳,所以 LED 灯的抗震性能好。运用领域涉及到*、台灯、家电等日常家电和机械生产方面。